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- 大山,公士 (オオヤマ,キミヒト) https://www.lib.hokudai.ac.jp/dissertations/list/?FF=4&LANG=ja&ACCN=2010120010
| 論文名 | 窒化ガリウム系半導体結晶及びMOS,界面構造の電子準位評価 |
| 論文名(欧文) | |
| 学位授与年度 | 2010 |
| 学位種別／学位種類 | 1（課程博士） / 036（博士(工学)） |
| 報告番号 | 9751 |
| 学位授与年月日 | 2010-12-24 |
| 主査／副査 | 橋詰,保 / 佐野,栄一 佐藤,威友 |
| 所在 | |
| 配架番号 | |
| 備考 | |
| 内容の要旨と審査の要旨 | 9751_ooyama.pdf |