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- 藤倉,序章 (フジクラ,ハジメ) https://www.lib.hokudai.ac.jp/dissertations/list/?FF=4&LANG=ja&ACCN=1203605046
論文名 | 分子線エピタキシー法によるインジウムガリウムヒ素量子構造の形成とその表面制御 |
論文名(欧文) | Formation of InGaAs Quantum Structures by Molecular Beam Epitaxy and Control of Their Surfaces |
学位授与年度 | 1996 |
学位種別/学位種類 | 2(論文博士) / 036(博士(工学)) |
報告番号 | 5046 |
学位授与年月日 | 1996-09-30 |
主査/副査 | 長谷川,英機 / 雨宮,好仁 福井,孝志 陽,完治 橋詰,保 |
所在 | |
配架番号 | |
備考 | |
内容の要旨と審査の要旨 | 5046_fujikura.pdf |