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- 石崎,順也 (イシザキ,ジュンヤ) https://www.lib.hokudai.ac.jp/dissertations/list/?FF=4&LANG=ja&ACCN=1103604108
論文名 | 有機金属気相成長法による(001)微傾斜GaAs表面の多段原子ステップの形成と機構 |
論文名(欧文) | Formation and mechanism of multilayer steps on vicinal (001)GaAs surfaces grown by metalorganic vapor phase epitaxy |
学位授与年度 | 1996 |
学位種別/学位種類 | 1(課程博士) / 036(博士(工学)) |
報告番号 | 4108 |
学位授与年月日 | 1997-03-25 |
主査/副査 | 福井,孝志 / 長谷川,英機 陽,完治 酒井,洋輔 |
所在 | |
配架番号 | |
備考 | |
内容の要旨と審査の要旨 | 4108_ishizaki.pdf |